低温Al-Al熱圧着ウェハレベル真空封止接合における薄膜Sn層の役割

カテゴリ: 部門大会

論文No: 24pm2-B-8

グループ名: 第33回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2016/10/17

タイトル(英語): The role of thin Sn layer to the low temperature Al-Al thermo-compression bonding for wafer-level hermetic sealing

著者名: 佐藤 史朗(東北大学),福士 秀幸(東北大学),江刺 正喜(東北大学),田中 秀治(東北大学)

キーワード: 熱圧着接合,真空封止,低温接合,AlおよびSn,MEMSパッケージング

要約(日本語): この発表は、薄膜Sn層が挿入され、表面が酸化されたAlを接合層として用いて、400℃以下でAl-Al真空封止接合が実現可能であることを示した最初の報告である。370℃の接合で長時間安定な高歩留りの真空封止結果が得られている。Sn層のAl中への添加は、Al-Al接合に基づくMEMSの低温真空封止実装に有効な技術であることが分かった。

要約(英語): This paper reports for the first time low temperature hermetic seal Al-Al wafer bonding using thin Sn layers in an Al bonding frame,although the Al surface is oxidized in air. The long-term hermetic sealing is possibly high yield at a bonding temperature of 370?C.The addition of Sn in Al is effective for low temperature hermetic packaging of MEMS based on Al-Al bonding.

PDFファイルサイズ: 1,194 Kバイト