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全溶液プロセスによる抵抗変化型メモリと触覚センサ融合記憶デバイス

全溶液プロセスによる抵抗変化型メモリと触覚センサ融合記憶デバイス

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 24pm2-C-3

グループ名: 第33回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2016/10/17

タイトル(英語): NiO ReRAM integrated with a tactile sensor

著者名: 金尾 顕一朗(大阪府立大学),有江 隆之(大阪府立大学),秋田 成司(大阪府立大学),竹井 邦晴(大阪府立大学)

キーワード: 全溶液,抵抗変化型メモリ,触覚センサ

要約(日本語): 全溶液プロセスによる大面積・低価格フレキシブル抵抗変化型メモリ(ReRAM)を提案し、その電気的・機械的安定性を示した。さらに触覚センサを集積することで、リアルタイム触覚情報の記憶が可能であることを示した。本結果では、1ピクセルのデモンストレーションであったが、本技術をさらに大面積基板及びセンサアレイに適用することで、今後の大面積・低価格、多機能電子フレキシブルデバイスシートとして応用可能であると期待できる。

要約(英語): This proceeding demonstrates tactile memorable device assembled by NiO ReRAM and a tactile sensor. Solution-processed NiO ReRAM shows good performance including data retention with on/off ratio of >103 even under bending condition. A tactile sensor was covered on NiO ReRAM. The laminated device successfully memorizes touch information by NiO ReRAM.

PDFファイルサイズ: 628 Kバイト

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