高感度a-InGaZnO TFT pHセンサのドリフト制御とVgs出力応答

カテゴリ: 部門大会

論文No: 24pm3-D-8

グループ名: 第33回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2016/10/17

タイトル(英語): Drift control and Vgs-output response of high-sensitivity a-InGaZnO TFT pH sensors

著者名: 岩松 新之輔(山形県工業技術センター),竹知 和重(NLTテクノロジー),阿部 泰(山形県工業技術センター),今野 俊介(山形県工業技術センター),矢作 徹(山形県工業技術センター),村上穣(山形県工業技術センター),田邉 浩(NLTテクノロジー),加藤 睦人(山形県工業技術センター)

キーワード: pHセンサ,インジウム-ガリウム-亜鉛酸化物,薄膜トランジスタ,トップゲート効果,高感度

要約(日本語): a-InGaZnO TFT pHセンサを用いて0.01以下の微小pH変化を検出することを目的として、間欠駆動によるドレイン電流のドリフト抑制について検討するとともに、Vgsを出力としたpH測定手法を検討した。その結果、間欠駆動によりドリフトの低減が可能であることを明らかにし、Vgs出力での線形的なpH応答を確認した。

要約(英語): Amorphous indium-gallium-zinc oxide thin-film transistor based pH sensors utilizing a top-gate effect exhibit a high pH sensitivity beyond the Nernst theoretical limit. In this paper, we optimize the sequence for operating these sensors, and evaluate gate-to-source voltage response to small pH step variations.

PDFファイルサイズ: 511 Kバイト