スパッタ法を併用したPLD法で作製した金属ドープ酸化タングステンのNOxガスセンサ特性

カテゴリ: 部門大会

論文No: 25am2-PS-001

グループ名: 第33回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2016/10/17

タイトル(英語): Properties of metal doped tungsten oxide thin films for NOx gas sensors prepared by PLD method with sputtering process

著者名: 川崎 仁晴(佐世保工業高等専門学校),大島 多美子(佐世保工業高等専門学校),柳生 義人(佐世保工業高等専門学校),猪原 武士(佐世保工業高等専門学校),須田 義昭(佐世保工業高等専門学校)

キーワード: ガスセンサ,酸化タングステン,パルスレーザデポジション,薄膜

要約(日本語): スパッタ法を併用したPLD法で金属ドープ酸化タングステン作製し、ガスセンサとしての性質を調べた。特に、ドープ用スパッタリング成膜の投入電力を変化させ、その効果を検証した。結果から、1）PLD法によってガスセンサ用WO3薄膜の作製に成功した。2）PLD法にスパッタ法を組み合わせた新しい方法によってAuやPdをドープしたセンサー薄膜を作製出来る。3）AuやPdをドープした薄膜のセンサー感度はドープしないものに比べ向上する。

要約(英語): The gas sensors based on tungsten oxide thin films and doped with different amount of gold or palladium were synthesized by a new developed preparation system using PLD combined with dc sputtering method. The maximum sensitivity for 200 ppm NO2 were approximately 69 for WO3?Au thin film.

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