SOI-MEMS 技術による静電容量式MEMS加速度センサにおける梁形状の検討
SOI-MEMS 技術による静電容量式MEMS加速度センサにおける梁形状の検討
カテゴリ: 部門大会
論文No: 25pm4-PS-050
グループ名: 第33回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集
発行日: 2016/10/17
タイトル(英語): A Study on Beam Configuration of MEMS Capacitive Accelerometers Fabricated using SOI-MEMS Technologies
著者名: 劉 健男(千葉工業大学),室 英夫(千葉工業大学)
キーワード: 梁の形状,静電容量,櫛型電極,感度,共振周波数
要約(日本語): MEMS加速度センサはエアバッグ・システム用として実用化されて以来、様々な分野で普及が進んできた。本研究では、製造工程が簡易なSOI-MEMS技術を用いた静電容量センサを対象とし、慣性質量を一定として、梁のパラメータを変化させた時の感度、共振周波数、高次共振モードをシミュレーションにより系統的に求め、各種パラメータによるこれらの特性の依存性を明確化し、慣性質量の辺の長さまで梁の長さを延ばすような構成についての可能性の検討を行った。
要約(英語): This paper focuses on capacitive micro accelerometers fabricated using a simple SOI-MEMS technology, calculates the dependences of their sensitivities and resonant frequencies on the beam parameter and its configuration, and studies a feasibility of an accelerometer with beam lengths as long as the side length of the proof mass.
PDFファイルサイズ: 823 Kバイト
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