酸化防止層にSnを用いた低温Al-Al熱圧着ウェハレベル真空封止接合の研究
酸化防止層にSnを用いた低温Al-Al熱圧着ウェハレベル真空封止接合の研究
カテゴリ: 部門大会
論文No: 28pm3-B-1
グループ名: 第32回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集
発行日: 2015/10/21
タイトル(英語): Low temperature Al-Al thermo-compression bonding with Sn oxidation protect layer for wafer-level vacuum sealing
著者名: 佐藤 史朗*,福士 秀幸,江刺 正喜,田中 秀治(東北大学)
キーワード: Al-Al熱圧着接合,真空封止,Sn酸化防止層,CMOS-LSIバックエンドプロセス
要約(英語): This paper describes vacuum seal wafer bonding using Al covered with thin Sn as an oxidation protecting layer at bonding temperature below 400℃, which is the maximum temperature of CMOS-LSI backend process. Stable vacuum sealing for longer than 1000 h (After that, samples were destructively analyzed.) was confirmed at a high yield for samples bonded at 370 and 380℃. The results of SEM and EDX analysis concluded that the bonding was due to direct Al-Al bonding, while Sn was iffused almost uniformly and sparsely in the bonding metal. Al covered with thin Sn is usable for wafer-level vacuum seal bonding at CMOS-compatible temperature.
PDFファイルサイズ: 1,175 Kバイト
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