1
/
の
1
超並列電子線描画装置用nc-Si(ナノシリコン)面電子源のための MEMS静電コンデンサレンズアレイの開発
超並列電子線描画装置用nc-Si(ナノシリコン)面電子源のための MEMS静電コンデンサレンズアレイの開発
通常価格
¥440 JPY
通常価格
セール価格
¥440 JPY
単価
/
あたり
税込
カテゴリ: 部門大会
論文No: 28pm3-B-2
グループ名: 第32回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集
発行日: 2015/10/21
タイトル(英語): Development of MEMS condenser lens array for nc-Si (nanocrystalline silicon) surface electron emitter for massively parallel electron beam system
著者名: 小島 明*{1},池上 尚克{1},宮口 裕{1},吉田 慎哉{1},室山 真徳{1},戸津 健太郎{1},越田 信義{2},江刺 正喜{1}({1}東北大学,{2}東京農工大学)
キーワード: 超並列,電子線描画,コンデンサレンズアレイ,電子光学,nc-Si
要約(英語): Developments of a MEMS electrostatic condenser lens array for the massive parallel electron beam direct-write system are reported. Characteristics of the electron optics are analyzed by a finite element method simulation. The condenser lens array was fabricated with precise machining methods.
PDFファイルサイズ: 1,556 Kバイト
受取状況を読み込めませんでした
