シリコン貫通記録(TSV)と三次元集積化技術の研究開発動向

カテゴリ: 部門大会

論文No: 28pm3-D-1

グループ名: 第32回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2015/10/21

タイトル(英語): Recent Research and Development of Through-Silicon Via (TSV) and 3D Integration Technologies

著者名: 福島 誉史*，李 康旭，田中 徹，小柳 光正(東北大学)

キーワード: Si 貫通配線,テンポラリー接合,ウェハ薄化,セルフアセンブリ,NCF

要約(英語): This paper introduces the recent research and development of Through-Silicon Via (TSV) and 3D integrationtechnologies in order to solve upcoming limitation of Moore’s law scaling. In particular, from a reliability point ofview, via-last/back-via technologies such as TSV liner dielectric formation, TSV barrier/seed deposition, temporarybonding/debonding, wafer thinning, assembly, and underfilling are discussed compared to conventionaltechnologies.

PDFファイルサイズ: 2,690 Kバイト