AlN圧電デバイスのウエハレベルパッケージング技術の開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 28pm3-D-5

グループ名: 第32回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2015/10/21

タイトル(英語): Development of wafer-level packaging technology of AlN piezoelectric device

著者名: 太田 亮*，野田 大二，網倉 正明，原田 武，荒川 雅夫(マイクロマシンセンター)

キーワード: ウエハレベルパッケージング,低温プラズマ活性化接合,Au-Au接合,封止接合,スタッドバンプ

要約(英語): Low temperature bonding process has bee developed for piezoelectric thin film Si cantilever vibration sensor packaging. Au hermetic sealing rings were used as bonding layers for Ar rf plasma surface activated bonding. And stud-bump was used as electrical connections of vibration sensor. A sufficiently high die-shear strength and a good hermeticity were achieved at 200 ℃. Using the plastic deformation of the Au bumps with Ar plasma surface activated method, low resistance electrical characteristics were obtained for electrical connections.

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