VLS成長シリコンナノワイヤの歪み誘起電気伝導特性の結晶方位依存性

カテゴリ: 部門大会

論文No: 29pm2-B-2

グループ名: 第32回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2015/10/21

タイトル(英語): Crystal Orientation Dependency of Strain-Induced Electrical Properties for VLS-Grown Single Crystal Silicon Nanowires

著者名: 仲田 進哉*{1}，北田 勇馬{1}，Wagesreither Stefan{2}，Lugstein Alois{2}，菅野 公二{1}，磯野 吉正{1}({1}神戸大学，{1}TU-Wien)

キーワード: VLS-CVD,単結晶Siナノワイヤ,応力-ひずみ関係,ピエゾ抵抗効果,単軸引張試験

要約(英語): This research clarified the piezoresistance effect of individual single crystal silicon nanowires (SiNWs) under uniaxial tensile strain using a MEMS-based strain engineering device. The intrinsic SiNWs with a length of 3 μm and a diameter of 100 nm in nominal were monolithically integrated in the MEMS devices using Vapor-Liquid-Solid (VLS) technique of CVD. The gauge factors also showed -170.7 at 0.002 ε for <111>-grown SiNWs and -128.9 at 0.001 ε for <112>-grown SiNW, respectively.

PDFファイルサイズ: 910 Kバイト