MEMSデバイスに向けたCuSn薄膜によるウエハレベル真空封止接合

カテゴリ: 部門大会

論文No: 30am2-PS-010

グループ名: 第32回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2015/10/21

タイトル(英語): Wafer Level Vacuum Packaging with CuSn Thin films for MEMS Devices

著者名: 船橋 博文*{1}，明石 照久{1}，畑 良幸{1}，藤吉 基弘{1}，大村 義輝{1}，野々村 裕{1}，高木 秀樹{2}({1}豊田中央研究所，{2}産業技術総合研究所)

キーワード: 接合,銅,スズ,真空,封止

要約(英語): CuSn thin film bonding is effective for 3D structures because of low bonding temperature and high melting temperature of CuSn composite. We successfully demonstrated a small vacuum hermetic chamber (0.19μL) which was fabricated by a bonding frame with a width of 50 - 150μm.

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