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リフトオフ形成Pt電極上へのPZT薄膜作製

リフトオフ形成Pt電極上へのPZT薄膜作製

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 30am2-PS-004

グループ名: 第32回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2015/10/21

タイトル(英語): Fabrication of PZT thin film on lift-off patterned Pt electrode

著者名: 水嵜 英明*{1},飯田 祐介{1},米久保 荘{1},佐藤 敏郎{2},曽根原 誠{2}({1}長野県工業技術総合センター,{2}信州大学)

キーワード: リフトオフ,PZT,薄膜,クラック

要約(英語): To simplify the manufacturing process of infrared sensor, and reduce the parasitic capacitance between the upper and lower electrode, we formed Pt electrode by the lift-off method. Ferroelectric properties of the PZT film on patterned Pt somewhat less than it on all over coated Pt, but it showed good characteristics. Furthermore, by performing an electrode positioned properly, it was possible to suppress the cracks generated on SiO2.

PDFファイルサイズ: 1,421 Kバイト

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