フォトリソグラフィとUVキュア処理によるナノギャップ電極形成
フォトリソグラフィとUVキュア処理によるナノギャップ電極形成
カテゴリ: 部門大会
論文No: 30am2-PS-006
グループ名: 第32回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集
発行日: 2015/10/21
タイトル(英語): Nano-Gap Electrode Realized by Photolithography Combined with UV Curing Processing
著者名: 粂内 真子{1},熊谷 慎也{1},趙 享峻{2},今井 駿{2},近藤 博基{2},石川 健治{2},堀 勝{2},佐々木 実*{1}({1}豊田工業大学,{2}名古屋大学)
キーワード: ナノギャップ電極,UVキュア処理,フォトリソグラフィ
要約(英語): UV curing has been found to be useful for designing the new process. The standard g/i-line photoresist changes its property to be inactive against the thinner and the developer. The material used is clean and well-established in the lithography. In this study, the sub-um width pattern is realized using the shadow area adjacent to the UV cured photoresist against the exposure UV light. The process condition and the design are explained. The obtained nano-gap is observed with the optical microscope and its performance is described.
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