PZT系単結晶薄膜を用いた圧電ＭＥＭＳのためのエピタキシャルバッファ層のウエハレベルスパッタ成膜

カテゴリ: 部門大会

論文No: 30pm1-B-2

グループ名: 第32回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2015/10/21

タイトル(英語): Sputter Deposition of Epitaxial Buffer Layers at Wafer Level for Piezoelectric MEMS utilizing PZT-based monocrystalline thin film

著者名: 西澤 信典*{1}，吉田 慎哉{1}，和佐 清孝{2}，田中 秀治{1}({1}東北大学，{2}横浜市立大学)

キーワード: 圧電MEMS,圧電MEMS,チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）,単結晶膜

要約(英語): We have developed a sputter deposition machine for epitaxial growth of a YSZ thin film on Si at wafer level. Reasonably-high quality YSZ epitaxial thin films were successfully prepared on 4-inch Si wafers via the “Metal deposition-Oxidation Method” and “Seeding-Reactive Sputtering Method”. The film was also demonstrated to serve as a first buffer layer for epitaxial growth of PZT families.

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