不純物濃度によるエッチング速度の違いを利用したシリコン3次元構造体の製作

カテゴリ: 部門大会

論文No: 31am3-PS-5

グループ名: 第34回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2017/10/24

タイトル(英語): Fabrication of Si 3D-structure using dependence of etching rate on impurity concentration

著者名: 田村 宣通(立命館大学),安藤 妙子(立命館大学)

著者名(英語): Noriyuki Tamura| Taeko Ando

キーワード: シリコン,三次元構造体,ウェットエッチング,フッ硝酸,不純物濃度依存性

要約(日本語): 本論文ではシリコンの不純物濃度の違いによるエッチング速度の違いを利用した三次元構造体の作製手法について報告する。本研究ではフッ硝酸を用いたシリコンのウェットエッチングを行い、新たに集光デバイスの作製プロセス考案、検証を行った。本研究の実験結果より不純物濃度に依存した加工が行えることが分かった。またエッチング時間が長い程、エッチング速度が不純物濃度に依存することが確認できた。

要約(英語): We report a fabrication method of silicon 3D-structure with inclined sidewall. The dependence of etching rate on impurity concentration of silicon is useful to achieve it. HNA etching is applied to groove structure in epitaxial layer with concentration gradient on silicon wafer. As a result, we obtained the structures curved along concentration distribution.

PDFファイルサイズ: 543 Kバイト