イオン応答性電界効果トランジスタを用いたアクティブ細胞膜障害性測定法の開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 31am3-PS-77

グループ名: 第34回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2017/10/24

タイトル(英語): Active sensing of cell membrane injury using ion-sensitive field-transistors

著者名: 今泉 祐輝(東京医科歯科大学),合田 達郎(東京医科歯科大学),松元 亮(東京医科歯科大学),宮原 裕二(東京医科歯科大学)

著者名(英語): Yuki Imaizumi| Tatsuro Goda |Akira Matsumoto| Yuji Miyahara

キーワード: ISFET,細胞膜障害,細胞毒性,界面活性剤,微小環境

要約(日本語): 細胞膜は細胞内と細胞外を隔てる脂質二重膜の半透膜である。したがって、膜障害は細胞質内の恒常性を乱し、急性の細胞死を引き起こす。既存の膜障害性測定法はタンパク質や蛍光色素の漏出を指標とするため、生体毒素やナノ粒子による分子サイズの空孔形成を検出できないという原理的な問題が存在する。そこで、イオン応答性電界効果トランジスタを用いて、最小分子であるプロトンの漏出を指標とすることにより、超高感度・ラベルフリーな膜障害性測定法を新たに開発した。

要約(英語): To evaluate the barrier function of the live cell membrane, we developed an ammonia perfusion-based pH sensing system. A transient pH change was induced by the passive diffusion of uncharged ammonia and its proton sponge effect.This pH sensing method is noninvasive to cells, and would be suitable for high-throughput drug screening.

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