Highly Bendable Indium Tin Oxide Electrode with Mesh Pattern for Flexible Electronic Devices
Highly Bendable Indium Tin Oxide Electrode with Mesh Pattern for Flexible Electronic Devices
カテゴリ: 部門大会
論文No: 31pm1-A-4
グループ名: 第34回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集
発行日: 2017/10/24
タイトル(英語): Highly Bendable Indium Tin Oxide Electrode with Mesh Pattern for Flexible Electronic Devices
著者名: 坂本 暁祐(早稲田大学),桑江 博之(早稲田大学),小林 直史(早稲田大学),登 惇輝(早稲田大学),庄子 習一(早稲田大学),水野 潤(早稲田大学)
著者名(英語): Kosuke Sakamoto| Hiroyuki Kuwae |Naofumi Kobayashi| Atsuki Nobori |Shuichi Shoji| Jun Mizuno
キーワード: 酸化インジウムスズ,フレキシブル電子デバイス,フレキシブル透明電極,メッシュパターン電極,液体有機EL
要約(日本語): フレキシブル電子デバイスの更なる発展に向け、メッシュパターンを用いたフレキシブル酸化インジウムスズ電極を作製、評価した。シミュレーションによる原理検証、曲げ試験による屈曲耐性試験を行い、本電極から高い屈曲性能が得られたことを確認した。また、アプリケーションへの有用性を確認するため、本電極を用いた有機ELを作製し曲げ前後でも同等の電流密度-電圧―輝度特性曲線を得ることに成功した。
要約(英語): We developed highly bendable indium tin oxide electrode with mesh pattern for flexible electronic devices. The concept was verified with simulation, and flexibility was confirmed through cyclic bending test. Moreover, similar J-V-L curves were obtained from organic light-emitting diode using the electrode before and after bending.
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