酸化バナジウム薄膜のピエゾ抵抗評価と圧力センサ応用

カテゴリ: 部門大会

論文No: 31pm3-PS-50

グループ名: 第34回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2017/10/24

タイトル(英語): Evaluation of gauge factor of vanadium oxide thin film and its pressure sensor application

著者名: 猪股 直生(東北大学),小野 崇人(東北大学)

著者名(英語): Naoki Inomata| Takahito Ono

キーワード: 酸化バナジウム,ゲージファクタ,MEMS,ピエゾ抵抗,圧力センサ

要約(日本語): 本研究では,酸化バナジウム(VOx)薄膜のゲージファクタを評価した.VOxをピエゾ抵抗素子として,Si膜上に作製し,差圧によりSi膜とVOx素子を歪ませ,その時の抵抗値変化からVOxのゲージファクタを算出した.VOxは酸素雰囲気下における反応性スパッタリング法により成膜し,V2O5:VO2の割合は77:23であった.そのゲージファクタは259であり,従来の半導体材料のそれらよりも大きな値となった.

要約(英語): In this paper, the gauge factor of vanadium oxide, which has unique electrical properties, is evaluated using a MEMS-based Si membrane device. The VOx resistor is fabricated on the membrane, and deflected by evacuating. The resistance is measured in each deflection. The gauge factor of the VOx resistor is 259, which is larger value than those of conventional semiconductor materials.

PDFファイルサイズ: 373 Kバイト