異なる形状の切欠きを持つナノスケールシリコンのき裂進展挙動

カテゴリ: 部門大会

論文No: 31pm3-PS-6

グループ名: 第34回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集

発行日: 2017/10/24

タイトル(英語): Crack propagation behavior of nanoscale silicon with different type of notches

著者名: 中村 真也(立命館大学),岡田 光平(立命館大学),安藤 妙子(立命館大学)

著者名(英語): Shinya Nakamura| Kohei Okada |Taeko Ando

キーワード: シリコン,ナノスケール,転位,破壊靭性,き裂進展

要約(日本語): 脆性材料であるシリコンは、加熱や微細化の条件によって破壊靭性値の増加を伴う脆性延性遷移を起こす。そこで、本研究では100nm以下のナノスケールシリコンの破壊について調べた。シリコンの試験片に2種類の切欠きを入れたものに引張試験を行う事で破壊挙動の寸法・形状依存性を確認する。通常V字切欠きにはU字のものより応力集中が強く生じるが、引張実験結果では破壊の開始位置は試験片の厚さに依存することを確認できた。

要約(英語): This paper reports behaviors for fracture of nano-scale silicon with 100 nm thickness. We carried out tensile test on silicon chip with specimen having two type notches. V-notch generates local stress-field was stronger than U-notch's that but break points depended on specimen thickness in tensile test.

PDFファイルサイズ: 656 Kバイト