磁性薄膜の磁気歪みを利用した歪み・振動センサの開発
磁性薄膜の磁気歪みを利用した歪み・振動センサの開発
カテゴリ: 部門大会
論文No: 31pm3-PS-60
グループ名: 第34回「センサ・マイクロマシンとその応用システム」シンポジウム論文集
発行日: 2017/10/24
タイトル(英語): Development of strain and vibration sensor using inverse magnetostriction effect of magnetostrictive film
著者名: 久保 結人(東北大学),枦 修一郎(東北大学),横井 甫(東北大学),荒井 薫(東北大学),石山 和志(東北大学)
著者名(英語): Yuito Kubo| Shuichiro Hashi |Hajime Yokoi| Kaoru Arai |Kazushi Ishiyama
キーワード: 歪センサ,振動センサ,磁歪,逆磁歪効果,磁性薄膜
要約(日本語): 本論文では,磁性薄膜の逆磁歪効果を利用した歪センサ,それを応用した振動センサの特性評価について報告する。本センサ素子は,磁性層にFeSiB,導体層にMoを用いた構造となっていて,センサに歪みが印加された時のインピーダンス変化を利用して検出を行う。歪み特性評価において,本センサはひずみ感度約2,160を達成した。さらに,位相検出回路を用いた振動特性評価では,センサの機械的共振点で最大電圧288mVを検出した。
要約(英語): Strain sensor using an inverse-magnetostrictive effect was fabricated and applied for vibration sensor. The sensor element was composed of molybdenum film as conductive layer and FeSiB magnetostrictive films. The strain sensor exhibited a gauge factor of 2,160 . In addition, the maximum signal of 288mV (45mV/deg.) correspond to vibration was obtained using a phase detection circuit.
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