2本鎖DNAへの特異的な金属被覆によるナノワイヤの形成とその電気的特性の評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 5AM2-B-3

グループ名: 【E】平成25年電気学会センサ・マイクロマシン部門大会講演論文集

発行日: 2013/10/29

タイトル(英語): Nanowire formation using specific metallization of double-stranded DNA

著者名: 氷室 貴大 (九州工業大学大学院),荒木 遼 (九州工業大学大学院),池堂 英幸 (九州工業大学大学院),佐藤 しのぶ (九州工業大学大学院),竹中 繁織 (九州工業大学大学院),安田 隆 (九州工業大学大学院)

キーワード: ナノワイヤ|DNA|金属被覆|インターカレータ|還元基

要約(日本語): 本研究では,交流電界によって電極間にDNAを伸長固定し,還元基を有するインターカレータを用いて2本鎖DNAを特異的に金属被覆することでナノワイヤを形成した．実際に,同じ鎖長の1本鎖DNAと2本鎖DNAを用いた比較実験を行い,2本鎖を金属被覆した場合のみ約40nmの径を持ったナノワイヤが形成されていることを確認した．また,その導電性を交流インピーダンス法により計測したところ,抵抗値は約9Ωを示した．

要約(英語): We demonstrated that the DNA metallization technique using reducing group-labeled intercalator molecules permits dsDNA molecules to be specifically metallized while not permitting metallization of ssDNA molecules. The metallized dsDNA nanowires had the average width of about 40 nm. Also, we found that they have an excellent electrical property with high conductivity and no parasitic capacitance.

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