ゾルゲルPZT圧電膜の高スループット成膜技術

カテゴリ: 部門大会

論文No: 5AM2-E-2

グループ名: 【E】平成25年電気学会センサ・マイクロマシン部門大会講演論文集

発行日: 2013/10/29

タイトル(英語): High Throughput Process for Sol-Gel Derived PZT Film

著者名: 土井 利浩 (三菱マテリアル),桜井 英章 (三菱マテリアル),曽山 信幸 (三菱マテリアル)

キーワード: PZT|圧電|薄膜|ゾルゲル|厚塗り技術

要約(日本語): 高スループット成膜を目指した厚塗りPZTゾルゲル液を開発し,8インチ基板への成膜評価を行った．得られたPZT膜の膜厚均一性は中心膜厚±0.8%程度と非常に良好であった．また,得られた膜の圧電定数e31.fは-16.1C/m2と高い値を示した．プロセス中の各ステップにおけるスループットは既存のゾルゲル液を用いた場合と同等であることから,厚塗りゾルゲル液を用いることにより,従来技術よりも大幅に成膜スループットが向上することを実証できた．

要約(英語): 2 um-thick PZT film was deposited on the 8-inch wafer by using high throughput sol-gel route. The PZT film show good thickness homogeneity in the range of ±0.8%. The film is single perovskite phase and shows high e31.f value at -16.1 C/m2.

PDFファイルサイズ: 411 Kバイト