赤外線イメージセンサに向けたエピタキシャルPZT薄膜センサとJFET混載MOS一体化プロセスの開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 5PM1-B-2

グループ名: 【E】平成25年電気学会センサ・マイクロマシン部門大会講演論文集

発行日: 2013/10/29

タイトル(英語): Integration process development of epitaxial PZT thin film sensor and JFET compaticble MOS circuit

著者名: 大石 浩史 (豊橋技術科学大学),赤井 大輔 (EIIRIS:エレクトロニクス先端融合研究所),石田 誠 (豊橋技術科学大学/EIIRIS:エレクトロニクス先端融合研究所)

キーワード: 赤外線センサ|PZT薄膜|JFET|剥離|赤外線吸収膜

要約(日本語): 本論文では赤外線イメージセンサに向けたPZT薄膜センサとJFET混載MOS一体化プロセスの開発について報告する．JFETは赤外線応答信号のフリッカー雑音を減少させる重要な回路素子であるため,MOSプロセスとの一体化が求められる．作製プロセスでは3つの問題 1)PZT薄膜の剥離,2)プロセス後のMOSFETリーク電流,3)赤外線吸収膜のクラックの発生がある．これらに対しSrRuO3バッファ層導入,イオン注入最適化,吸収膜の再設計を行った．

要約(英語): This paper reports process development of epitaxial PZT thin film detector with Junction FET (JFET) compatible MOSFET circuit. JFET is the key read out circuit element, reduces flicker noise of infrared response signal. The fabrication was faced to 3 problems; 1) PZT film delamination, 2) MOSFET leak current after overall process, and 3) crack by infrared absorber deposition. These problems are resolved with SrRuO3 buffer film, ion implant optimization, and newly designed infrared absorber.

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