高出力半導体レーザの高放熱構造をめざしたGaAs/SiC常温接合に関する研究

カテゴリ: 部門大会

論文No: 5PM1-F-2

グループ名: 【E】平成25年電気学会センサ・マイクロマシン部門大会講演論文集

発行日: 2013/10/29

タイトル(英語): GaAs/SiC Room-Temperature Bonding for Improved Heat Dissipation in High-Power Semiconductor Lasers

著者名: 日暮 栄治 (東京大学),中筋 香織 (東京大学),須賀唯知 (東京大学)

キーワード: 表面活性化接合|サーマルマネジメント|熱抵抗|高出力半導体レーザ|炭化ケイ素

要約(日本語): 大きな熱伝導率を有する基板上に直接接合された高出力半導体レーザを実現するために,アルゴンの高速原子ビームを用いた表面活性化接合をガリウム砒素(GaAs)と炭化ケイ素(SiC)の直接接合に適用した．常温でのウェハボンディングを実証した．表面活性化接合したGaAs／SiCウェハの透過型電子顕微鏡による微細構造観察から,非晶質層中間層を介して原子レベルでの接合が実現されていることを示した．

要約(英語): To realize a high-power semiconductor laser directly bonded on a high thermal conductivity material substrate, surface activated bonding using argon fast atom beam was applied to the bonding of gallium arsenide (GaAs) and silicon carbide (SiC). The GaAs/SiC structure was demonstrated in the wafer scale at room temperature. The cross-sectional transmission electron microscopy observations showed that a direct bonding in atomic scale was achieved.

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