Ne高速原子ビームの平滑化効果を援用したSiウエハーの常温接合

カテゴリ: 部門大会

論文No: 5PM1-F-3

グループ名: 【E】平成25年電気学会センサ・マイクロマシン部門大会講演論文集

発行日: 2013/10/29

タイトル(英語): Room temperature wafer direct bonding using a surface smoothing effect by Ne beam

著者名: Yuichi Kurashima (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology:AIST),Hideki Takagi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology:AIST),Atsuhiko Maeda (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology:AIST)

キーワード: 表面活性化常温ウエハー直接接合|表面平滑化|ひずみ|高速原子ビーム|Siウエハー

要約(日本語): 本研究では,従来のArと同じく不活性ガスであるNe及びXe高速原子ビームの表面活性化への適応可能性を評価した．その中で,Ne高速原子ビームでは表面を荒らさずに加工可能なこと,また,Ne高速原子ビームによるSi表面の平滑化効果を見出し表面が荒れて接合が困難な面でもNe高速原子ビームの平滑化効果を援用することで接合強度の回復が可能であること,が分かったので報告する．

要約(英語): We investigated the surface smoothing effect by Ne FAB etching. Although the Si wafers with surface roughness of 0.4 nm rms could not be bonded, they were successfully bonded after Ne FAB smoothing of the etching depth over 5 nm, and a bonding energy equivalent to that of the bulk material.

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