内部応力を利用した PZT 薄膜キャパシタの剥離,転写技術に関する研究

カテゴリ: 部門大会

論文No: 5PM1-F-4

グループ名: 【E】平成25年電気学会センサ・マイクロマシン部門大会講演論文集

発行日: 2013/10/29

タイトル(英語): Stress induced peeling and transfer technology of PZT thin film capacitor

著者名: 末重 良宝 (東京大学),本多 史明 (東京大学),須賀唯知 (東京大学),一木 正聡 (産業技術総合研究所),伊藤 寿浩 (産業技術総合研究所)

キーワード: PZT|薄膜|キャパシタ|剥離|めっき

要約(日本語): プリント基板にPZT薄膜キャパシタを実装するために,薄膜の剥離,転写技術の確立が必要である．本研究では,Niの内部応力を利用した薄膜の剥離技術について検討し,シミュレーションと実験を行った．また,剥離後のキャパシタの特性を評価し,剥離後も十分な性能を有することを確認した．

要約(英語): We developed spalling technology of PZT thin film capacitors using the internal stress of the Ni film. The PZT film was peeled from the substrate and its characteristics after spalling was evaluated.

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