集積回路基板への異種デバイスの選択的トランスファ

カテゴリ: 部門大会

論文No: 5PM1-F-6

グループ名: 【E】平成25年電気学会センサ・マイクロマシン部門大会講演論文集

発行日: 2013/10/29

タイトル(英語): Selective Transfer of Heterogeneous Devices to Integrated Circuit Wafer

著者名: 引地 広介 (東北大学),田中 秀治 (東北大学),江刺 正喜 (東北大学),上田 政則 (太陽誘電),谷口眞司 (太陽誘電),清山 一志 (旭化成エレクトロニクス)

キーワード: レーザ転写|ヘテロ集積化|選択転写|ウェハレベルパッケージング|平坦化

要約(日本語): LSI基板上にMEMS等の異種デバイスを集積化するための,真空封止も可能な選択的転写技術を開発した．LSIのダイサイズとMEMSのダイサイズは異なることが多いが,今回開発した選択的転写技術では,サポート基板上に仮固定されたMEMS基板とLSI基板とをウェハレベルで接合した後,接合されたダイのみをサポート基板から選択的に剥離する．サポート基板上に残ったダイは,位置をずらして接合することで再利用が可能である．

要約(英語): We have developed a new wafer-bonding-based integration method for heterogeneous devices with different die sizes. In this paper, 1 mm × 1 mm dies supported with a glass wafer were selectively transferred by low temperature Au-Au bonding and laser-assisted-selective-transfer technique. By using this method, a die transfer yield of 100% was achieved.

PDFファイルサイズ: 786 Kバイト