細胞局所イオン刺激に向けたゲート付きナノイオンチャネルデバイス

カテゴリ: 部門大会

論文No: 6PM1-B-2

グループ名: 【E】平成25年電気学会センサ・マイクロマシン部門大会講演論文集

発行日: 2013/10/29

タイトル(英語): Gate controlled ionic transport nanofluidic channel device for local stimulation of cell

著者名: 西本 淳平 (豊橋技術科学大学),上村 義永 (豊橋技術科学大学),渥美 和矢 (豊橋技術科学大学),二川 雅登 (豊橋技術科学大学),奥村 弘一 (豊橋技術科学大学),石田 誠 (豊橋技術科学大学),高橋 一浩 (豊橋技術科学大学/JST CREST),服部 敏明 (豊橋技術科学大学/JST CREST),澤田 和明/JST CREST (豊橋技術科学大学/JST CREST)

キーワード: ナノチャネル|電気二重層|シリコンプレーナープロセス||

要約(日本語): 本研究ではシリコン集積回路プロセスを用いた細胞刺激用ナノイオンチャネルデバイスを製作・評価した．デバイスの構造はナノ流路上部に電極（ゲート電極）を設け,流路の側壁に生じる電気二重層の厚さをコントロールすることでイオンの選択的な透過を実現する．ナノ流路内を満たしたKCl水溶液へ濃度勾配を与えたときに,流路間を流れるイオン電流16 nAが得られ,ゲート電圧5V印加したときに2 nAのイオン電流変化が観測できた．

要約(英語): This paper presents a nanofluidic channel with Al gate electrodes developed by conventional silicon planar process, which can control ionic current through the nanochannel by the gate voltages. The ionic current change of 2 nA due to increasing Cl- ions in the nanochannel was successfully demonstrated by applied gate bias of 5 V. The gate controlled ionchannel device would be expected for local ionic stimulation to cells.

PDFファイルサイズ: 995 Kバイト