超並列電子線描画装置のためのピアース型ナノ結晶シリコン電子源アレイの作成

カテゴリ: 部門大会

論文No: 7PM1-B-1

グループ名: 【E】平成25年電気学会センサ・マイクロマシン部門大会講演論文集

発行日: 2013/10/29

タイトル(英語): Development of Pierce-Type Nanocrystalline Si Surface-Electron-Emitter Array for Massive Parallel Lithography

著者名: 西野 仁 (東北大学),吉田 慎哉 (東北大学),田中 秀治 (東北大学),江刺 正喜 (東北大学),小島 明 (クレステック),池上尚克 (東京農工大学),越田 信義 (東京農工大学)

キーワード: 微小電気機械システム|超並列電子線描画|ナノ結晶シリコン|ピアース型電子源|

要約(日本語): 本研究は,超並列電子線描画装置のためのLSI集積化100x100ピアース型ナノ結晶シリコン（nc-Si）電子源アレイの作製プロセスに関するものである．具体的には,電子放出結果とEBレジストの露光実験,電子源分離のための絶縁トレンチの形成,電子源とLSIとの電気的接続のためのAu-In接合,引き出しプレートの接合に関して報告する．

要約(英語): This study reports on the fabrication process of a 100×100 Pierce-type nanocrystalline Si (nc-Si) electron emitter array for massive parallel electron beam lithography based on active-matrix electron beam control by LSI. We introduce the result of electron emitting and exposure test, making isoration trench for each electron emitter, Au-In bonding of electron emitter and LSI, polymer bonding of extraction plate.

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