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CIC導体内におけるNb3Sn素線の超電導特性の数値解析・評価

CIC導体内におけるNb3Sn素線の超電導特性の数値解析・評価

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ASC08012

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 超電導応用電力機器研究会

発行日: 2008/01/25

タイトル(英語): Numerical Simulation of Critical Current Degradation of Nb3Sn Strand in CIC Conductor

著者名: 村上 陽之(早稲田大学),植田 浩史(早稲田大学),石山 敦士(早稲田大学),小泉 徳潔(日本原子力研究開発機構),奥野 清(日本原子力研究開発機構)

著者名(英語): Haruyuki Murakami(Waseda University),Hiroshi Ueda(Waseda University),Atsushi Ishiyama(Waseda University),Norikiyo Koizumi(Japan Atomic Energy Agency),Kiyoshi Okuno(Japan Atomic Energy Agency)

キーワード: CICC|臨界電流|曲げ歪|劣化|Nb3Sn|分布定数回路|CICC|Critical Current|Bending Strain|Degradation|Nb3Sn|distributed circuit

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 855 Kバイト

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