磁束バイアス線を1本に減じたDFQアンプの設計と動作検証

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ASC17051

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 超電導機器研究会

発行日: 2017/12/11

タイトル(英語): Double-Flux-Quantum Amplifier with One Flux-Bias Line

著者名: 荒井 祐真(電気通信大学),渡邉 智希(電気通信大学),樋口 孔明(電気通信大学),島田 宏(電気通信大学),水柿 義直(電気通信大学)

著者名(英語): Yuma Arai(The University of Electro-Communications),Tomoki Watanabe(The University of Electro-Communications),Komei Higuchi(The University of Electro-Communications),Hiroshi Shimada(The University of Electro-Communications),Yoshinao Mizugaki(The University of Electro-Communications)

キーワード: 超伝導|単一磁束量子|電圧増倍|Superconductor|Single-Flux-Quantum|Voltage Multiplier

要約(日本語): Double Flux-Quantum（DFQ）アンプは、アンダーダンプ接合でのDFQ生成を利用し、量子精度で電圧を増倍する。本研究では、従来型DFQアンプの動作検証に必須だった2本の磁束バイアス線を1本に減ずることが可能な素子パラメータを見出した。40μVの入力電圧に対して動作する20倍DFQアンプを設計し、液体ヘリウム中でNb試作回路を測定したところ最大入力電圧68μVを確認した。

要約(英語): A Double-Flux-Quantum (DFQ) amplifier multiplies its input voltage with quantum accuracy. In this paper, we propose a new parameter set that realizes single-flux-bias operation, while the original DFQA requires two flux bias lines. A test circuit fabricated using a Nb technology operated correctly for the input voltage up to 68μV.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,422 Kバイト