エポキシ含浸されたアモルファス磁性薄帯の磁気シェイキング特性

カテゴリ: 部門大会

論文No: II-1

グループ名: 【A】平成23年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/21

著者名: 鈴木優輔 (九州大学),笹田一郎 (九州大学)

キーワード: 磁気シールド| 磁気シェイキング| アモルファス磁性薄帯| 透磁率

要約(日本語): コバルトベースのアモルファス磁性薄帯は大きな微分透磁率を持つが，直流バイアス下での微小磁界に対する応答（増分透磁率）に対しては数千から数万程度の値でしかない．磁気シェイキングは利用する周波数帯より一桁以上高い周波数の磁界を予め与えておくことで増分透磁率を実効的に2桁程度増大させる．これらの部材で磁気シールドを製作する時は形状を何らかの方法で与える必要がある．本稿ではエポキシ含浸によって短軸円筒形状に整形された場合の磁気シェイキング特性を調べたので報告する．

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