方位角方向カスプ磁界を用いた慣性静電閉じ込め核融合の高出力化

カテゴリ: 部門大会

論文No: IX-9

グループ名: 【A】平成23年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/21

著者名: 高倉啓 (東京工業大学),WantaponNgamdee (東京工業大学),今治宏紀 (東京工業大学),野辺啓太 (東京工業大学),渡辺正人 (東京工業大学),堀田栄喜 (東京工業大学)

キーワード: 慣性静電閉じ込め| 核融合| 中性子源| カスプ磁界

要約(日本語): 慣性静電閉じ込め核融合（IECF)装置は制御性がよく、小型で可搬性があるため産業用小型中性子源としての応用が期待されている。しかし現状では医療用中性子源等への実用化に十分な線量が得られておらず、中性子生成率を向上させることが課題になっている。そこで外部から方位角方向カスプ磁界を印加する方式の円筒型IECF装置の開発を新たに行い、高出力化を図った。本講演では動作特性、カスプ磁界の有効性について報告する。

PDFファイルサイズ: 1,130 Kバイト