SHGイメージングによるペンタセンFETのチャネル形成過程の直接観察

カテゴリ: 部門大会

論文No: XVIII-4

グループ名: 【A】平成23年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/21

著者名: 正田洋 (東京工業大学),田口大 (東京工業大学),間中孝彰 (東京工業大学),岩本光正 (東京工業大学)

キーワード: OFET| 電界誘起第二次高調波発生法| ペンタセン

要約(日本語): 有機トランジスタの絶縁膜は半導体との界面にチャネルをつくるために必要である。しかし、その性能はトランジスタ動作との関係で不明確な部分も多い。そこで、チャネルをつくる電荷の起源を明らかにするため、ＳＨＧイメージングでキャリア蓄積挙動を直接可視化した。ポリビニルフェノール/SiO2絶縁膜を用いたペンタセンＦＥＴではソース・ドレイン電極から自発的にキャリアが流れ込みチャネルが形成されることが分かった。

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