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高周波バーストパルス高電界印加時のHeLa細胞におけるたんぱく質発現量の周波数依存性

高周波バーストパルス高電界印加時のHeLa細胞におけるたんぱく質発現量の周波数依存性

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カテゴリ: 部門大会

論文No: B-9

グループ名: 【A】平成23年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/21

著者名: 南谷靖史 (山形大学),倉持美恵 (山形大学),豊岡隆侍 (山形大学),光武和典 (熊本大学),矢野正彦 (熊本大学),矢野美沙子 (熊本大学),勝木淳 (熊本大学),秋山秀典 (熊本大学)

キーワード: パルス高電界| バーストパルスがん治療| がん治療| アポトーシス

要約(日本語): 高周波バーストパルス電界によるがん治療法は細胞によって電気的特性が変わるため、加えるパラメータを変える事で細胞の選択ができ、アポトーシスによる細胞死を特定の細胞にのみ誘導できる可能性がある。このことから、印加する電界強度と周波数成分を変化させて研究を行っている。本発表では1MHz以上の高周波で10kV/cmを越えるようなバーストパルス電界をHeLa細胞へ印加した場合のたんぱく質発現量を調べた。

PDFファイルサイズ: 1,599 Kバイト

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