塗布型酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの作製

カテゴリ: 部門大会

論文No: P-5

グループ名: 【A】平成23年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/21

著者名: 小寺勲 (千葉大学),山内博 (千葉大学),飯塚正明 (千葉大学),酒井正俊 (千葉大学),中村雅一 (奈良先端科学技術大学院大学),工藤一浩 (千葉大学),國吉繁一 (千葉大学)

キーワード: 薄膜トランジスタ| 酸化物半導体| 塗布プロセス

要約(日本語): 近年、大面積・フレキシブルデバイスを低コストに作製する方法として、塗布・印刷プロセスによる素子作製が注目されている。特に塗布可能なn型半導体材料について、材料探索とプロセスの検討が行われている。本研究では、塗布プロセスにより半導体層を成膜し、ボトムゲート構造のn型薄膜トランジスタを作製した。塗布可能な半導体材料として酸化物半導体の前駆体溶液を用い、加熱・表面処理を施すことで特性の向上を図った。

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