GaイオンドープDLCを用いたpin接合ダイオードの製作

カテゴリ: 部門大会

論文No: V-10

グループ名: 【A】平成24年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/20

著者名: 高原裕介 (日本大学),鈴木薫 (日本大学),胡桃聡 (日本大学)

キーワード: FIB| DLC| イオン注入| ダイオード

要約(日本語): 今回我々は、集束イオンビーム装置(FIB装置)を用いてダイアモンド状炭素(DLC)へGaイオンを注入し、p型半導体化させた。その際、基盤材料にn型シリコンを使用することで、p型DLC層、Gaイオンが到達していない真性DLC(i-DLC)層、n型シリコン層が接合したpinダイオードを製作することに成功した。本実験ではこのpinダイオードの電気的特性を電流-電圧特性を測定することにより調査した。

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