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RFマグネトロンスパッタリング法による窒化鉄薄膜に及ぼすDCバイアス効果

RFマグネトロンスパッタリング法による窒化鉄薄膜に及ぼすDCバイアス効果

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カテゴリ: 部門大会

論文No: IX-5

グループ名: 【A】平成24年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/20

著者名: 関貴弘 (日本大学),新妻清純 (日本大学)

キーワード: 窒化鉄| DCバイアス| 結晶構造| 磁気特性| RFマグネトロンスパッタリング法

要約(日本語): RFマグネトロンスパッタリング法により、DCバイアス電圧を変化させて、ソーダライムガラス基板上に成膜させ、窒化鉄薄膜試料を作製した。DCバイアスの印加によって窒素混入量を制御し、α’相及びα”相の生成を目的として、作製した薄膜試料の結晶構造と磁気特性の観点から、窒化鉄生成に及ぼすDCバイアスの有効性について検討を行なう。

PDFファイルサイズ: 1,889 Kバイト

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