SiC-JFETを用いた誘導加速シンクロトロン用パルス電源の開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: XII-5

グループ名: 【A】平成24年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/20

著者名: 岡村勝也 (高エネルギー加速器研究機構),大沢裕 (サンエー),高木浩一 (岩手大学),和気正芳 (高エネルギー加速器研究機構),高山健 (高エネルギー加速器研究機構)

キーワード: 誘導加速| パルス電源SiC| SiC

要約(日本語): 誘導加速シンクロトロン（IS)とは従来の高周波加速空洞に代わり誘導加速セルを用いてイオンの加速を行うシンクロトロンであり、加速周波数に対する制約が小さいため低エネルギーから高エネルギーまで加速可能という特徴を持っている。スイッチングパワーサプライ（SPS）はISを実現するためのキーデバイスの一つである。世界最初のISではSPSとしてSi-MOSFETをもちいていたが、現在我々はさらなる小型化、高性能化を目指すためSiC-JFETを用いたSPSを開発している。本論文ではプロトタイプSiC-JFETを用いたSPSの開発状況について報告する。

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