量子化学計算によるポリイミドフィルムのヘテロ電荷蓄積メカニズムの検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: XVI-4

グループ名: 【A】平成24年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/20

著者名: 高田達雄 (東京都市大学),石井智之 (東京都市大学),小宮山洋平 (東京都市大学),三宅弘晃 (東京都市大学),田中康寛 (東京都市大学)

キーワード: 量子化学計算| ポリイミドフィルム空間電荷| 空間電荷

要約(日本語): 芳香族系高分子のポリイミド(PI)のバンドギャップが小さいので、高電界印加(100 kV/mm)によりHOMO準位からLUMO準位に電子が直接に励起され、へテロ電荷の蓄積が予想される。本論文では、量子化学計算によりPIのエネルギーバンドを算出しバンドギャップと実効トラップ深さを求め、電子の発生確率とホッピング移動確率を評価し、へテロ電荷の形成のメカニズムを考察したので報告する。

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