RFICへの磁性薄膜集積化による帯域内スプリアス抑制

カテゴリ: 部門大会

論文No: 12-A-p-7

グループ名: 【A】平成25年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2013/09/12

著者名: 室賀翔 (東北大学),樊鵬 (東北大学),遠藤恭 (東北大学),伊藤哲夫 (東北大学),田中聡 (東北大学),村上元己 (ルネサスエレクトロニクス),堀和明 (ルネサスエレクトロニクス),高橋覚 (ルネサスモバイル),東直矢 (神戸大学),永田真 (神戸大学)

キーワード: 電磁環境| 磁性薄膜| 電磁ノイズ抑制体

要約(日本語): チップレベルの電磁ノイズ問題を解決する手段の一つとして，磁性薄膜を利用した電磁ノイズ抑制体が提案されている(1)．本研究では，LTE（Long Term Evolution)級のRFICフロントエンドを集積した TEGチップ（Test Element Group)を試作し，Co85Zr3Nb12膜のノイズ抑制効果を評価した．

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