光過渡容量法を用いたn型窒化ガリウム中のプラズマ照射誘起欠陥の評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 12-F-p-2

グループ名: 【A】平成25年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2013/09/12

著者名: 瀧本拓真 (首都大学東京),横山大樹 (首都大学東京),中村成志 (首都大学東京),奥村次徳 (首都大学東京)

キーワード: 窒化ガリウム| プラズマ| 欠陥

要約(日本語): 次世代半導体材料である窒化ガリウムにおけるデバイス作製プロセスに多用されるプラズマの影響について評価を行った。プラズマ照射した基板上に作製したショットキーダイオードの空乏層容量を基板に単色光を照射しながら測定することで、プラズマによって導入された欠陥の評価を行った。プラズマ照射によって単色光照射に対する空乏層容量の変化が増大し、またその変化は複数の時定数を有している事を明らかにした。

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