シリコーンゲルを用いた電力用半導体デバイスのボイド残留要因と耐部分放電性に関する検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 13-D-p-6

グループ名: 【A】平成25年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2013/09/12

著者名: 佐藤正寛 (東京大学),熊田亜紀子 (東京大学),日高邦彦 (東京大学),山城啓輔 (富士電機),早瀬悠二 (富士電機),高野哲美 (富士電機)

キーワード: 電力用半導体モジュール| シリコーンゲル| ボイド| 部分放電

要約(日本語): ゲル絶縁デバイスにおける部分放電の起点の一つとしてボイドが指摘されている。本研究では微小空孔モデルを用いて通常の製造工程ではボイドが生成することを理論的に示した。次にボイドの残留しない製造手法を理論的に予測し、実験により確認したところ実験結果は理論と定量的に一致し、ボイドを除去する手法が示された。提唱した手法を用いることでモジュールの部分放電耐量を向上することができることを実験的に確認した。

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