電界放出型電子源用金属酸化物ナノロッドにおけるAlドープ依存性

カテゴリ: 部門大会

論文No: 12-P-35

グループ名: 【A】平成25年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2013/09/12

著者名: 上野仁也 (近畿大学),松谷貴臣 (近畿大学),中野人志 (近畿大学),川﨑忠寛 (名古屋大学)

キーワード: 電界放出| 電子源| 金属酸化物

要約(日本語): 電界放射型電子源 (Field emission type electron source: FE)は、電界を印加することによりトンネル効果を誘発することで電子を取り出す電子源である。近年新たなFE源としてカーボンナノチューブが注目されているが、残留酸素による破損によって寿命が短いという欠点がある。本研究では残留酸素による影響の少ない酸化物FE源に着目し、先端が鋭利で高電界が印加でき、仕事関数の低いZnOエミッタの開発を目的に、そのAlドープ依存性を調査した。

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