H2Oの電子衝突断面積とラジカル等の生成係数

カテゴリ: 部門大会

論文No: 13-B-a2-6

グループ名: 【A】平成25年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2013/09/12

著者名: 佐藤孝紀 (室蘭工業大学),三田隆義 (室蘭工業大学),伊藤秀範 (室蘭工業大学)

キーワード: H2O| 反応係数| 電子衝突断面積| モンテカルロシミュレーション

要約(日本語): H2O中の電子輸送係数（実効電離係数，平均到着時間移動速度，縦方向拡散係数）が実測値と一致する電子衝突断面積を推定するとともに，その断面積のセットを用いてH2O分子由来のラジカル等の生成係数を算出した。今回推定した断面積からラジカル等の生成レートを換算電界をパラメータとして算出すると，これまでに報告された断面積から計算される値より低電界側にシフトする結果となった。

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