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反応性スパッタリング法により作製されたNiO薄膜の構造制御

反応性スパッタリング法により作製されたNiO薄膜の構造制御

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 21-C-p-1

グループ名: 【A】平成26年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2014/08/21

著者名: 土屋友一 (工学院大学),鷹野一朗 (工学院大学)

キーワード: 固体色素増感太陽電池| 反応性スパッタリング法| 酸化物半導体| NiO

要約(日本語): 反応性スパッタリング法によりO2ガス流量を変化させて成膜したNiO薄膜の結晶性,光学特性,半導体特性,表面形態を測定し,これをCu2O薄膜と比較した。NiO薄膜は成膜時のO2ガス流量を減少させることにより,結晶性の上昇,吸光度の長波長へのシフト,抵抗率の上昇が確認された。Cu2O薄膜と比べて同程度のキャリア密度と滑らかな表面形態が特徴である。

PDFファイルサイズ: 221 Kバイト

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