傾斜磁区を有した薄膜素子における幅方向パルス磁場印加による磁区転移の誘起

カテゴリ: 部門大会

論文No: 21-B-p-1

グループ名: 【A】平成26年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2014/08/21

著者名: 中居倫夫 (宮城県産業技術総合センター)

キーワード: 磁区転移| 傾斜磁区| 薄膜| アモルファス| 磁気異方性

要約(日本語): 薄膜アモルファス軟磁性膜に角度制御した一軸磁気異方性を誘導した素子において，傾斜したストライプ磁区と長手方向単磁区の２パターンの間で磁区転移が生じることが知られている。本発表では，この現象における磁区のピンニングポイントの存在と，パルス磁場の印加でこのピンニングを解除して磁区転移を誘起する方法について実験検討した結果を報告する。

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