フォトルミネセンスによる高誘電率誘電体LaAlO3中のLa空孔検出の可能性

カテゴリ: 部門大会

論文No: 21-F-pP-11

グループ名: 【A】平成26年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2014/08/21

著者名: 針間正幸 (早稲田大学),森本貴明 (早稲田大学),大木義路 (早稲田大学)

キーワード: LaAlO₃| フォトルミネセンス| イオン照射| 格子欠陥

要約(日本語): 半導体素子の絶縁に用いられる高誘電率誘電体LaAlO3にP+，B+イオンを照射すると，X線回折強度は減少し，結晶性が悪化する。同時に，3.8eV光照射により誘起される約1.71eVのフォトルミネセンス（PL）の強度が増加する。このPLは，La空孔によるという報告があるので，イオン照射によりLa原子が弾き出され，La空孔が増加したと考えられる。すなわち，PL法によりLa空孔を検出できる可能性がある。

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