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SiC-MOSFETを用いた誘導性エネルギー蓄積型高電圧パルス回路の抵抗負荷特性

SiC-MOSFETを用いた誘導性エネルギー蓄積型高電圧パルス回路の抵抗負荷特性

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 17-P-27

グループ名: 【A】平成27年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2015/09/17

著者名: 芝野祐也 (兵庫県立大学),東欣吾 (兵庫県立大学),岡田翔 (兵庫県立大学),西村芳美 (栗田製作所)

キーワード: ワイドギャップ半導体| SiC-MOSFET| 開放スイッチ| 高電圧パルス| 誘導性エネルギー蓄積| パルス放電プラズマ

PDFファイルサイズ: 197 Kバイト

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