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強誘電体VDF/TrFEをゲートとしたダイヤモンドFET構造の作製

強誘電体VDF/TrFEをゲートとしたダイヤモンドFET構造の作製

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 17-P-40

グループ名: 【A】平成27年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2015/09/17

著者名: 古市浩幹 (金沢大学),柄谷涼太 (金沢大学),馬場一気 (金沢大学),中嶋宇史 (東京理科大学),徳田規夫 (金沢大学),川江健 (金沢大学)

キーワード: ダイヤモンド| VDF/TrFE| FET

PDFファイルサイズ: 261 Kバイト

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